Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > AOY2610E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
803585

AOY2610E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3500+
$0.363
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AOY2610E
  • Producent / marka
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    AOY2610E.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251B
  • Seria
    AlphaSGT™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    59.5W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1100pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 19A (Ta) 59.5W (Tc) Through Hole TO-251B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    19A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AOY2610E”.
PMN25UN,115

PMN25UN,115

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
IRFS7537TRLPBF

IRFS7537TRLPBF

Opis: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AOY526

AOY526

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AO6405L

AO6405L

Opis: MOSFET P-CH 30V 6TSOP

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
STB270N4F3

STB270N4F3

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDN360P

FDN360P

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOY516

AOY516

Opis: MOSFET N-CH TO251B

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FQI8N60CTU

FQI8N60CTU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
DMP6185SE-7

DMP6185SE-7

Opis: MOSFET PCH 60V 3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
AOY4158P

AOY4158P

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOY514

AOY514

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOY528

AOY528

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOY2N60

AOY2N60

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOY423

AOY423

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDS6609A

FDS6609A

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STP11N52K3

STP11N52K3

Opis: MOSFET N-CH 525V 10A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF6637TRPBF

IRF6637TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDC2612_F095

FDC2612_F095

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.