Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN62D1LFD-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6846313Obraz DMN62D1LFD-13.Diodes Incorporated

DMN62D1LFD-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.077
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN62D1LFD-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN62D1LFD-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    X1-DFN1212-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    500mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    3-UDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    36pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.55nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    400mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN62D1LFD-13”.
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Opis: MOSFET N-CH 100V SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Opis: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN62D1LFD-7

DMN62D1LFD-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.