Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN63D1LDW-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
983019Obraz DMN63D1LDW-13.Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.081
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN63D1LDW-13
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Moc - Max
    310mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.3nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    250mA
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Opis: MOSFET N-CH 100V SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Opis: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D1LFD-7

DMN62D1LFD-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść