Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI2333CDS-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2672849

SI2333CDS-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.19
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI2333CDS-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI2333CDS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SI2333CDS-T1-GE3TR
    SI2333CDST1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1225pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7.1A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI2333CDS-T1-GE3”.
SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2328DS-T1-E3

SI2328DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2333-TP

SI2333-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.