Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > AS4C16M32MSA-6BIN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5548335Obraz AS4C16M32MSA-6BIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BIN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.06
10+
$5.529
25+
$5.424
50+
$5.387
190+
$4.832
380+
$4.814
570+
$4.513
1140+
$4.321
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C16M32MSA-6BIN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C16M32MSA-6BIN.pdf
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    90-FBGA (8x13)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    90-VFBGA
  • Inne nazwy
    1450-1458
    AS4C16M32MSA-6BIN-ND
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (16M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    5.4ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C16M32MSA-6BIN”.
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.