Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C1G8MD3L-12BCN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4726670Obraz AS4C1G8MD3L-12BCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C1G8MD3L-12BCN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$22.64
10+
$21.082
25+
$20.85
50+
$20.336
170+
$17.853
340+
$17.249
510+
$16.786
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C1G8MD3L-12BCN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C1G8MD3L-12BCN.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3L
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-FBGA (9x13.2)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    78-TFBGA
  • Inne nazwy
    1450-1309
    AL41K1G8SN-125:A
    AS4C1G8D3L-12BCN
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    8Gb (1G x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x13.2)
  • Częstotliwość zegara
    800MHz
  • Czas dostępu
    13.75ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C1G8MD3L-12BCN”.
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Opis: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.