Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C16M16SA-7TCNTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4775008Obraz AS4C16M16SA-7TCNTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-7TCNTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$2.311
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C16M16SA-7TCNTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    14ns
  • Napięcie - Dostawa
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    SDRAM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    54-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    256Mb (16M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    5.4ns
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść