Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SVD5865NLT4G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3072825

Obraz SVD5865NLT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5865NLT4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.341

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SVD5865NLT4G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SVD5865NLT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

DPAK
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

16 mOhm @ 19A, 10V
Strata mocy (max)

3.1W (Ta), 71W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Inne nazwy

NVD5865NLT4G-ND
NVD5865NLT4GOSTR
SVD5865NLT4G
SVD5865NLT4GOSTR
SVD5865NLT4GOSTR-ND
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

18 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1400pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

29nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 46A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SVD5865NLT4G”.

IRF3709

Opis: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

NTD4865NT4G

Opis: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

IXFX120N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

Producenci: IXYS Corporation

Na stanie

SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SVD5867NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

IRFR3418TRLPBF

IRFR3418TRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

IPB90R340C3ATMA1

IPB90R340C3ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 900V 15A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

STT4P3LLH6

STT4P3LLH6

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

AOB11S65L

Opis: MOSFET N-CH 650V 11A TO263

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na stanie

DMN53D0U-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

SVD2955T4G

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

IPP50R299CPHKSA1

IPP50R299CPHKSA1

Opis: MOSFET N-CH 550V TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SVD14N03RT4G

Opis: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SVD5803NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

IPP60R280P7XKSA1

IPP60R280P7XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

TK8Q65W,S1Q

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

NTB45N06LG

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SIHD6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.