Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SVD5803NT4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1584286Obraz SVD5803NT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5803NT4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.92
10+
$1.702
100+
$1.345
500+
$1.043
1000+
$0.824
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SVD5803NT4G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SVD5803NT4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.7 mOhm @ 50A, 10V
  • Strata mocy (max)
    83W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    NVD5803NT4GOSDKR
    SVD5803NT4GOSDKR
    SVD5803NT4GOSDKR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    36 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3220pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 85A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    85A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SVD5803NT4G”.
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HUF75617D3ST

HUF75617D3ST

Opis: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Opis: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
APT22F80S

APT22F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
IXFP4N85XM

IXFP4N85XM

Opis: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BUK768R1-100E,118

BUK768R1-100E,118

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
HUFA76419P3

HUFA76419P3

Opis: MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

Opis: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
VN10LPSTOA

VN10LPSTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SVD5865NLT4G

SVD5865NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQI2P25TU

FQI2P25TU

Opis: MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Opis: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDB9503L-F085

FDB9503L-F085

Opis: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF6613TR1PBF

IRF6613TR1PBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPAW60R600P7SXKSA1

IPAW60R600P7SXKSA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STFI15N95K5

STFI15N95K5

Opis: N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NTMFS5C404NLTWFT1G

NTMFS5C404NLTWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD30N02T4

NTD30N02T4

Opis: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SVD2955T4G

SVD2955T4G

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.