Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SVD2955T4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1578301Obraz SVD2955T4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD2955T4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SVD2955T4G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SVD2955T4G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    55W (Tj)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    NVD2955T4GOSCT
    NVD2955T4GOSCT-ND
    SVD2955T4GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    750pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SVD2955T4G”.
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQB3P20TM

FQB3P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SVD5865NLT4G

SVD5865NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFH4213TRPBF

IRFH4213TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Opis: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD40P8F6AG

STD40P8F6AG

Opis: MOSFET P-CH 80V DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXFK80N15Q

IXFK80N15Q

Opis: MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
AOD520

AOD520

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STMFS5C609NLT1G

STMFS5C609NLT1G

Opis: TRENCHFET 60V N-CH TRENCH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STB21NM60N

STB21NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
DMPH3010LPS-13

DMPH3010LPS-13

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDZ298N

FDZ298N

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPA65R190CFDXKSA1

IPA65R190CFDXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.