Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVJS4151PT1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5171648

Obraz NVJS4151PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJS4151PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.161

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NVJS4151PT1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NVJS4151PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (maks.)

±12V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

SC-88/SC70-6/SOT-363
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

67 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Strata mocy (max)

1.2W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Inne nazwy

NVJS4151PT1G-ND
NVJS4151PT1GOSTR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

44 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

850pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NVJS4151PT1G”.

DMN2011UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

IRF7426TR

Opis: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

FDMS8672S

FDMS8672S

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

2SK3662(F)

Opis: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

AO3404A_104

AO3404A_104

Opis: MOSFET N-CH 30V SOT23

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na stanie

IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

NVJD5121NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQP5N20L

FQP5N20L

Opis: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN338P

FDN338P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

RE1J002YNTCL

Opis: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RV2C001ZPT2L

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

SPU30P06P

Opis: MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

AOK40N30L

Opis: MOSFET N-CH 300V 40A TO247

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na stanie

IRFR3505TRPBF

IRFR3505TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

NVJS4405NT1G

Opis: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVJD4401NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

STP24NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.