Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RSS090P03FU7TB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7001579

RSS090P03FU7TB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.564
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RSS090P03FU7TB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RSS090P03FU7TB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    14 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4000pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    39nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RSS090P03FU7TB”.
RSS0J101MCN1GS

RSS0J101MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 100UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS085N05FU6TB

RSS085N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS090P03FU6TB

RSS090P03FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS070P05FRATB

RSS070P05FRATB

Opis: 4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS105N03FU6TB

RSS105N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS080N05FU6TB

RSS080N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS075P03TB

RSS075P03TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS0J221MCN1GS

RSS0J221MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS075P03FU6TB

RSS075P03FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS070N05FRATB

RSS070N05FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS070P05FU6TB

RSS070P05FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS090P03TB

RSS090P03TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS090N03FU6TB

RSS090N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS070N05FU6TB

RSS070N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 7A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS0E561MCN1GS

RSS0E561MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS100N03TB

RSS100N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS0J331MCN1GS

RSS0J331MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS100N03FRATB

RSS100N03FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.