Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RSS105N03FU6TB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
48626

RSS105N03FU6TB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RSS105N03FU6TB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RSS105N03FU6TB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1130pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 10.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RSS105N03FU6TB”.
RSS100N03TB

RSS100N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS105N03TB

RSS105N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS0J221MCN1GS

RSS0J221MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS120N03TB

RSS120N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS090P03TB

RSS090P03TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS110N03FU6TB

RSS110N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS110N03TB

RSS110N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS0E561MCN1GS

RSS0E561MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS125N03TB

RSS125N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS100N03FRATB

RSS100N03FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS125N03FU6TB

RSS125N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS0J101MCN1GS

RSS0J101MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 100UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS120N03FU6TB

RSS120N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSS1C101MCN1GS

RSS1C101MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS0J331MCN1GS

RSS0J331MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
RSS140N03TB

RSS140N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.