Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RSS075P03TB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4219053

RSS075P03TB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RSS075P03TB
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    21 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    RSS075P03TB-ND
    RSS075P03TBTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2900pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Ta)
RSS080N05FU6TB

RSS080N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS070P05FRATB

RSS070P05FRATB

Opis: 4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS0E561MCN1GS

RSS0E561MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RSS070N05FU6TB

RSS070N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 7A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS0J101MCN1GS

RSS0J101MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 100UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RSS065N06FU6TB

RSS065N06FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS0J221MCN1GS

RSS0J221MCN1GS

Opis: CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V SMD

Producenci: Nichicon
Na stanie
RSS070P05FU6TB

RSS070P05FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS090N03FU6TB

RSS090N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS065N03FU6TB

RSS065N03FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS065N03TB

RSS065N03TB

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS085N05FU6TB

RSS085N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

Opis: MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS070N05FRATB

RSS070N05FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS065N06FRATB

RSS065N06FRATB

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS090P03FU6TB

RSS090P03FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS090P03TB

RSS090P03TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS075P03FU6TB

RSS075P03FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RSS060P05FU6TB

RSS060P05FU6TB

Opis: MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść