Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVJD5121NT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3708790Obraz NVJD5121NT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJD5121NT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.43
10+
$0.386
100+
$0.216
500+
$0.116
1000+
$0.079
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVJD5121NT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVJD5121NT1G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Moc - Max
    250mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    NVJD5121NT1GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    46 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    26pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.9nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    295mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVJD5121NT1G”.
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
EFC6605R-TR

EFC6605R-TR

Opis: MOSFET 2N-CH EFCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF7751TRPBF

IRF7751TRPBF

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCAB21520L1

FCAB21520L1

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
APTM20DUM08TG

APTM20DUM08TG

Opis: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
AO6602L

AO6602L

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
NVJS4405NT1G

NVJS4405NT1G

Opis: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TMC1620-TO

TMC1620-TO

Opis: MOSFET N/P-CH 60V TO252-4

Producenci: TRINAMIC Motion Control GmbH
Na stanie
RFQ
CSD87501LT

CSD87501LT

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
AOC2802_001

AOC2802_001

Opis: MOSFET 2N-CH 4WLCSP

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MTM763200LBF

MTM763200LBF

Opis: MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF8313PBF

IRF8313PBF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVJS4151PT1G

NVJS4151PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF7902TRPBF

IRF7902TRPBF

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF9956TR

IRF9956TR

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMC1030UFDBQ-7

DMC1030UFDBQ-7

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.