Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTB75N65FL2WG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
403672Obraz NGTB75N65FL2WG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$9.00
30+
$7.749
120+
$6.728
510+
$5.859
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTB75N65FL2WG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 75A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTB75N65FL2WG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2V @ 15V, 75A
  • Stan testu
    400V, 75A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    110ns/270ns
  • Przełączanie Energy
    1.5mJ (on), 1mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    80ns
  • Moc - Max
    595W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    NGTB75N65FL2WG-ND
    NGTB75N65FL2WGOS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    310nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    200A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTB75N65FL2WG”.
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Opis: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Opis: IGBT 600V 75A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Opis: IGBT 50A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N65FL2WAG

NGTB75N65FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Opis: IGBT 600V 120A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Opis: 650V/60A IGBT FSII

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Opis: IGBT 75A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.