Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTB50N60S1WG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4829812Obraz NGTB50N60S1WG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB50N60S1WG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
90+
$5.821
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTB50N60S1WG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 50A 600V TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTB50N60S1WG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2V @ 15V, 50A
  • Stan testu
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    100ns/237ns
  • Przełączanie Energy
    1.5mJ (on), 460µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-3
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    94ns
  • Moc - Max
    417W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    NGTB50N60S1WGOS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench
  • brama Charge
    220nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench 600V 100A 417W Through Hole TO-247-3
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    200A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTB50N60S1WG”.
NGTB50N60FLWG

NGTB50N60FLWG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB45N60S1WG

NGTB45N60S1WG

Opis: IGBT 45A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB45N60S2WG

NGTB45N60S2WG

Opis: IGBT 45A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N120FL2WAG

NGTB50N120FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Opis: 650V/60A IGBT FSII

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Opis: IGBT 600V 75A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Opis: IGBT 75A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 100A 535W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Opis: IGBT 600V 75A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB40N65IHRWG

NGTB40N65IHRWG

Opis: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N65FL2WAG

NGTB75N65FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Opis: IGBT 600V 120A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

Opis: IGBT 600V 100A 223W TO247

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB45N60SWG

NGTB45N60SWG

Opis: IGBT 600V 45A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Opis: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60FL2WG

NGTB50N60FL2WG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.