Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTB75N65FL2WAG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3411420

NGTB75N65FL2WAG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
90+
$5.405
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTB75N65FL2WAG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTB75N65FL2WAG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2V @ 15V, 75A
  • Stan testu
    400V, 75A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    23ns/157ns
  • Przełączanie Energy
    610µJ (on), 1.2mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-4L
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    90ns
  • Moc - Max
    536W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-4
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Field Stop
  • brama Charge
    310nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    200A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    200A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTB75N65FL2WAG”.
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Opis: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Opis: IGBT 50A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Opis: IGBT 600V 75A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Opis: IGBT 600V 120A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Opis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Opis: 650V/60A IGBT FSII

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Opis: IGBT 600V 75A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Opis: IGBT 75A 600V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Opis: IGBT 600V 50A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Opis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.