Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > HGTG30N60A4D
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1887149Obraz HGTG30N60A4D.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG30N60A4D

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.33
10+
$7.529
450+
$5.953
900+
$5.428
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HGTG30N60A4D
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 75A 463W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HGTG30N60A4D.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.6V @ 15V, 30A
  • Stan testu
    390V, 30A, 3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    25ns/150ns
  • Przełączanie Energy
    280µJ (on), 240µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-3
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    55ns
  • Moc - Max
    463W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    HGTG30N60A4D_NL
    HGTG30N60A4D_NL-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    225nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    240A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    75A
  • Podstawowy numer części
    HGTG30N60

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HGTG30N60A4D”.
HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D

Opis: IGBT 600V 40A 165W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Opis: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG7N60A4

HGTG7N60A4

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Opis: IGBT 600V 24A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Opis: IGBT 600V 60A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60B3

HGTG20N60B3

Opis: IGBT 600V 40A 165W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Opis: IGBT 600V 75A 625W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Opis: IGBT 600V 63A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60C3D

HGTG20N60C3D

Opis: IGBT 600V 45A 164W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Opis: IGBT 600V 75A 463W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Opis: IGBT 600V 60A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

Opis: IGBT 1200V 72A 500W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Opis: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.