Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > HGTG20N60B3D
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2002329Obraz HGTG20N60B3D.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG20N60B3D

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.21
10+
$5.578
450+
$4.336
900+
$3.89
1350+
$3.281
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HGTG20N60B3D
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 40A 165W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HGTG20N60B3D.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2V @ 15V, 20A
  • Stan testu
    -
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -
  • Przełączanie Energy
    475µJ (on), 1.05mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    55ns
  • Moc - Max
    165W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    HGTG20N60B3D-ND
    HGTG20N60B3DFS
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    80nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    160A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    40A
  • Podstawowy numer części
    HGTG20N60

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HGTG20N60B3D”.
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D

Opis: IGBT 600V 75A 463W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Opis: IGBT 600V 63A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Opis: IGBT 600V 75A 625W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Opis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60C3D

HGTG20N60C3D

Opis: IGBT 600V 45A 164W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Opis: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Opis: IGBT 600V 60A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Opis: IGBT 600V 75A 463W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Opis: IGBT 600V 24A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

Opis: IGBT 1200V 72A 500W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Opis: IGBT 600V 60A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Opis: IGBT 600V 27A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60B3

HGTG20N60B3

Opis: IGBT 600V 40A 165W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.