Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > HGTG18N120BND
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6418373Obraz HGTG18N120BND.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG18N120BND

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.17
10+
$6.481
450+
$5.124
900+
$4.672
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HGTG18N120BND
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 54A 390W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HGTG18N120BND.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.7V @ 15V, 18A
  • Stan testu
    960V, 18A, 3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    23ns/170ns
  • Przełączanie Energy
    1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Moc - Max
    390W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    165nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    160A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    54A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HGTG18N120BND”.
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Opis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Opis: IGBT 600V 75A 463W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Opis: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60C3D

HGTG20N60C3D

Opis: IGBT 600V 45A 164W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60B3

HGTG20N60B3

Opis: IGBT 600V 40A 165W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Opis: IGBT 600V 24A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Opis: IGBT 600V 60A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D

Opis: IGBT 600V 40A 165W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Opis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Opis: IGBT 600V 27A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

Opis: IGBT 1200V 72A 500W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D

Opis: IGBT 600V 75A 463W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Opis: IGBT 600V 60A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.