Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > HGTG10N120BND
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4022757Obraz HGTG10N120BND.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG10N120BND

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.81
10+
$3.419
450+
$2.658
900+
$2.385
1350+
$2.011
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HGTG10N120BND
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 35A 298W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HGTG10N120BND.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.7V @ 15V, 10A
  • Stan testu
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    23ns/165ns
  • Przełączanie Energy
    850µJ (on), 800µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    70ns
  • Moc - Max
    298W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    100nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    80A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    35A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HGTG10N120BND”.
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Opis: IGBT 600V 24A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Opis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Opis: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Opis: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Opis: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Opis: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Opis: IGBT 600V 27A 104W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Opis: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.