Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQT13N06LTF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1257567Obraz FQT13N06LTF.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQT13N06LTF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.81
10+
$0.706
100+
$0.544
500+
$0.403
1000+
$0.323
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQT13N06LTF
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQT13N06LTF.pdf
    2.FQT13N06LTF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223-4
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    110 mOhm @ 1.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    FQT13N06LTFCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    350pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.4nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 2.8A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQT13N06LTF”.
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT3P20TF

FQT3P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT4N20TF

FQT4N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS

Opis: MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT2P25TF

FQT2P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STW20NK50Z

STW20NK50Z

Opis: MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FQT3P20TF-SB82100

FQT3P20TF-SB82100

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT7N10TF

FQT7N10TF

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT5P10TF

FQT5P10TF

Opis: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSH070N05TB1

RSH070N05TB1

Opis: MOSFET N-CH 45V 7A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
DMN601WKQ-13

DMN601WKQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQT4N25TF

FQT4N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT-1

FQT-1

Opis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
FQT-1BK

FQT-1BK

Opis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
FDMT80080DC

FDMT80080DC

Opis: MOSFET N-CH 80V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI1406DH-T1-E3

SI1406DH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.