Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQT7N10TF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5176629

FQT7N10TF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4000+
$0.242
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQT7N10TF
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQT7N10TF.pdf
    2.FQT7N10TF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223-4
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    350 mOhm @ 850mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    FQT7N10TF-ND
    FQT7N10TFTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQT7N10TF”.
FQT4N20TF

FQT4N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT4N25TF

FQT4N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK7Y12-40EX

BUK7Y12-40EX

Opis: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FQT-1BK

FQT-1BK

Opis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
FQT2P25TF

FQT2P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT3P20TF-SB82100

FQT3P20TF-SB82100

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT3P20TF

FQT3P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS

Opis: MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT5P10TF

FQT5P10TF

Opis: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPAN70R360P7SXKSA1

IPAN70R360P7SXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQT-1

FQT-1

Opis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPI100N08N3GHKSA1

IPI100N08N3GHKSA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB20N60-F085

FCB20N60-F085

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSP89 E6327

BSP89 E6327

Opis: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.