Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQT1N80TF-WS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2304371

FQT1N80TF-WS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.25
10+
$1.109
100+
$0.876
500+
$0.679
1000+
$0.536
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQT1N80TF-WS
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQT1N80TF-WS.pdf
    2.FQT1N80TF-WS.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223-3
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 Ohm @ 100mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    FQT1N80TF-WSCT
    FQT1N80TF_WSCT
    FQT1N80TF_WSCT-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    195pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQT1N80TF-WS”.
FQT2P25TF

FQT2P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT7N10TF

FQT7N10TF

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT4N25TF

FQT4N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD86252

FDD86252

Opis: MOSFET N-CH 150V 5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD60R1K0CEATMA1

IPD60R1K0CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQT-1BK

FQT-1BK

Opis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
FQT-1

FQT-1

Opis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFU9214PBF

IRFU9214PBF

Opis: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IPP60R750E6XKSA1

IPP60R750E6XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT3P20TF-SB82100

FQT3P20TF-SB82100

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT5P10TF

FQT5P10TF

Opis: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT4N20TF

FQT4N20TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT3P20TF

FQT3P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TPCA8062-H,LQ(CM

TPCA8062-H,LQ(CM

Opis: MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.