Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQH8N100C
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2267025Obraz FQH8N100C.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQH8N100C

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.81
10+
$3.405
450+
$2.52
900+
$2.043
1350+
$1.907
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQH8N100C
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQH8N100C.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.45 Ohm @ 4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    225W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3220pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQH8N100C”.
MTM231230L

MTM231230L

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
IXTR102N65X2

IXTR102N65X2

Opis: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
2N6764

2N6764

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
STB8NM60D

STB8NM60D

Opis: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FQH140N10

FQH140N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH70N10

FQH70N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD23382F4T

CSD23382F4T

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
AO4440L

AO4440L

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 5A 8SO

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOK2500L

AOK2500L

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
STP80NF10

STP80NF10

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDD6670AL

FDD6670AL

Opis: MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH44N10-F133

FQH44N10-F133

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
APT40SM120J

APT40SM120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
FQH44N10

FQH44N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH90N15

FQH90N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SCT2160KEC

SCT2160KEC

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH18N50V2

FQH18N50V2

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
2SJ661-1E

2SJ661-1E

Opis: MOSFET P-CH 60V 38A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.