Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2SJ661-1E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2630678Obraz 2SJ661-1E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SJ661-1E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.35
50+
$1.893
100+
$1.704
500+
$1.325
1000+
$1.098
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2SJ661-1E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 38A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    2SJ661-1E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-262-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    39 mOhm @ 19A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4360pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    38A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2SJ661-1E”.
2SJ665-DL-1EX

2SJ665-DL-1EX

Opis: MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Opis: MOSFET P-CH 60V 38A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ661-DL-E

2SJ661-DL-E

Opis: MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ687-ZK-E1-AY

2SJ687-ZK-E1-AY

Opis: MOSFET P-CH 20V 20A TO-252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ)

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ652-1E

2SJ652-1E

Opis: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ673-AZ

2SJ673-AZ

Opis: MOSFET P-CH 60V 36A TO-220

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ681(Q)

2SJ681(Q)

Opis: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ610(TE16L1,NQ)

2SJ610(TE16L1,NQ)

Opis: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

Opis: MOSFET P-CH I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ601(0)-Z-E1-AZ

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ665-DL-E

2SJ665-DL-E

Opis: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ656

2SJ656

Opis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

Opis: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ652-1EX

2SJ652-1EX

Opis: MOSFET P-CH TO-220FP-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ661-DL-1EX

2SJ661-DL-1EX

Opis: MOSFET P-CH D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ652-RA11

2SJ652-RA11

Opis: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ652

2SJ652

Opis: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.