Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQH18N50V2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2821514Obraz FQH18N50V2.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQH18N50V2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQH18N50V2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    265 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    277W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3290pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
IPW60R160C6FKSA1

IPW60R160C6FKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
FQH140N10

FQH140N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
NTB60N06LT4G

NTB60N06LT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
FQH90N15

FQH90N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
FQH70N10

FQH70N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
IXFN66N85X

IXFN66N85X

Opis: 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
IRLU8259PBF

IRLU8259PBF

Opis: MOSFET N-CH 25V 57A IPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
FQH44N10

FQH44N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
SI5447DC-T1-E3

SI5447DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RHK005N03T146

RHK005N03T146

Opis: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
NVF2201NT1G

NVF2201NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.3A SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
HUFA76423P3

HUFA76423P3

Opis: MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
FQH44N10-F133

FQH44N10-F133

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
IRF8714PBF

IRF8714PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
FQH8N100C

FQH8N100C

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść