Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQH70N10
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6133308Obraz FQH70N10.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQH70N10

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQH70N10
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQH70N10.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    23 mOhm @ 35A, 10V
  • Strata mocy (max)
    214W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3300pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 70A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQH70N10”.
FQH44N10

FQH44N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH8N100C

FQH8N100C

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH90N15

FQH90N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS5C450NLT3G

NVMFS5C450NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPW65R125C7XKSA1

IPW65R125C7XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V TO247

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQB34N20TM-AM002

FQB34N20TM-AM002

Opis: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF7663TRPBF

IRF7663TRPBF

Opis: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQH140N10

FQH140N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N7002CK,215

2N7002CK,215

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
STD24N06LT4G-VF01

STD24N06LT4G-VF01

Opis: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQH18N50V2

FQH18N50V2

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HUFA75829D3S

HUFA75829D3S

Opis: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS870-7-F

BS870-7-F

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRFR13N15DTRL

IRFR13N15DTRL

Opis: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IRFR9N20DTRR

IRFR9N20DTRR

Opis: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BUK9504-40A,127

BUK9504-40A,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FQH44N10-F133

FQH44N10-F133

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

Opis: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.