Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDJ129P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2164645

FDJ129P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDJ129P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDJ129P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC75-6 FLMP
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    70 mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC75-6 FLMP
  • Inne nazwy
    FDJ129P_NLCT
    FDJ129P_NLCT-ND
    FDJ129PCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    780pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDJ129P”.
IPW65R150CFDFKSA1

IPW65R150CFDFKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V TO247

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AOD413A_002

AOD413A_002

Opis: MOSFET P-CH 40V TO252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ128N

FDJ128N

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTU50N085T

IXTU50N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 50A TO-251

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BSP149L6906HTSA1

BSP149L6906HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PSMN2R8-40PS,127

PSMN2R8-40PS,127

Opis: MOSFET N-CH 40V TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PSMN102-200Y,115

PSMN102-200Y,115

Opis: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
STW26NM50

STW26NM50

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF3707ZSTRLPBF

IRF3707ZSTRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 59A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG

Opis: MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRL3402STRL

IRL3402STRL

Opis: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRL540SPBF

IRL540SPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TSM3N90CZ C0G

TSM3N90CZ C0G

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.