Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDJ128N
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4665918Obraz FDJ128N.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDJ128N

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDJ128N
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDJ128N.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC75-6 FLMP
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC75-6 FLMP
  • Inne nazwy
    FDJ128N_NLCT
    FDJ128N_NLCT-ND
    FDJ128NCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDJ128N”.
IXTP54N30T

IXTP54N30T

Opis: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRFR1205TRR

IRFR1205TRR

Opis: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSC120N03LSGATMA1

BSC120N03LSGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD86367-F085

FDD86367-F085

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TSM160P04LCRHRLG

TSM160P04LCRHRLG

Opis: MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
IPU60R2K1CEAKMA1

IPU60R2K1CEAKMA1

Opis: CONSUMER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFSL4127PBF

IRFSL4127PBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 72A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLBA1304P

IRLBA1304P

Opis: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
WPB4001-1E

WPB4001-1E

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTQ36N20T

IXTQ36N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.