Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDJ127P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3606962

FDJ127P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDJ127P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDJ127P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC75-6 FLMP
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    60 mOhm @ 4.1A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC75-6 FLMP
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    780pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDJ127P”.
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STP7NK80Z

STP7NK80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C290NT1G

NTMFS4C290NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF630NSTRRPBF

IRF630NSTRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFK26N100P

IXFK26N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
2N7228U

2N7228U

Opis: MOSFET N-CH 500V SMD1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX2N6788

JANTX2N6788

Opis: MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDJ128N

FDJ128N

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCH072N60F-F085

FCH072N60F-F085

Opis: MOSFET N-CH 600V 52A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPC60R2K0C6X1SA1

IPC60R2K0C6X1SA1

Opis: MOSFET N-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD17551Q5A

CSD17551Q5A

Opis: MOSFET N-CH 30V 8SON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
STW4N150

STW4N150

Opis: MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.