Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB9406-F085
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7006478Obraz FDB9406-F085.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB9406-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$1.633
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDB9406-F085
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDB9406-F085.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Strata mocy (max)
    176W (Tj)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    FDB9406-F085TR
    FDB9406_F085
    FDB9406_F085TR
    FDB9406_F085TR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7710pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    138nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB9406-F085”.
FDB8874

FDB8874

Opis: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB9409L-F085

FDB9409L-F085

Opis: NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB8876

FDB8876

Opis: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB8880

FDB8880

Opis: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB9506L-F085

FDB9506L-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDBA 53H 8-98 PW-K

FDBA 53H 8-98 PW-K

Opis: FDBA 53H 8-98 PW-K

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDB9503L-F085

FDB9503L-F085

Opis: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Opis: MOSFET N-CH 40V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDBA 53H 8-3A-PN-K

FDBA 53H 8-3A-PN-K

Opis: FDBA 53H 8-3A-PN-K

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDB8878

FDB8878

Opis: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB9403L-F085

FDB9403L-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Opis: FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB9406L-F085

FDB9406L-F085

Opis: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDBA 50H 10-6 PN-K

FDBA 50H 10-6 PN-K

Opis: FDBA 50H 10-6 PN-K

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDB8896

FDB8896

Opis: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB9409-F085

FDB9409-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB8896-F085

FDB8896-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDBL0065N40

FDBL0065N40

Opis: MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB8870-F085

FDB8870-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.