Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB8870-F085

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4185690

Obraz FDB8870-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

800+

$1.228

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDB8870-F085
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDB8870-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-263AB
Seria

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.9 mOhm @ 35A, 10V
Strata mocy (max)

160W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy

FDB8870-F085TR
FDB8870_F085
FDB8870_F085-ND
FDB8870_F085TR
FDB8870_F085TR-ND
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

5200pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

132nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 160A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB8870-F085”.

FDB8876

Opis: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8878

Opis: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86569-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9403L-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8880

Opis: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8832

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Opis: MOSFET N-CH 40V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9403-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8860

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9406-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8896-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86563-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86366-F085

Opis: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8870

Opis: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86566-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8832-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8896

Opis: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86363-F085

Opis: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8874

Opis: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8860-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.