Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB9403L-F085

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

474284

Obraz FDB9403L-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB9403L-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

800+

$2.097

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDB9403L-F085
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 40V 110A
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDB9403L-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263AB)
Seria

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.2 mOhm @ 80A, 10V
Strata mocy (max)

333W (Tj)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy

FDB9403L-F085TR
FDB9403L_F085
FDB9403L_F085-ND
FDB9403L_F085TR
FDB9403L_F085TR-ND
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

13500pF @ 20V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

245nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

N-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB9403L-F085”.

FDB8896-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9503L-F085

Opis: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Opis: MOSFET N-CH 40V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8876

Opis: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDBA 50H 10-6 PN-K

FDBA 50H 10-6 PN-K

Opis: FDBA 50H 10-6 PN-K

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity

Na stanie

FDB9406L-F085

Opis: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8860-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9406-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9506L-F085

FDB9506L-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8878

Opis: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8880

Opis: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9409L-F085

Opis: NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDBA 53H 8-3A-PN-K

FDBA 53H 8-3A-PN-K

Opis: FDBA 53H 8-3A-PN-K

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity

Na stanie

FDB8870

Opis: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8870-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8874

Opis: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB9409-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Opis: FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity

Na stanie

FDB9403-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8896

Opis: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.