Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2V7002WT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3601413Obraz 2V7002WT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2V7002WT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.066
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2V7002WT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    2V7002WT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-70-3 (SOT323)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    280mW (Tj)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    2V7002WT1G-ND
    2V7002WT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    36 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    24.5pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    310mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2V7002WT1G”.
SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F

Opis: X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AOT14N50

AOT14N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-220

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
PSMN3R2-30YLC,115

PSMN3R2-30YLC,115

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
STL25N60M2-EP

STL25N60M2-EP

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
2V7002LT3G

2V7002LT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V .115A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AO4202

AO4202

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDC602P

FDC602P

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFHS8342TRPBF

IRFHS8342TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
2N7002K,215

2N7002K,215

Opis: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
2V7002KT1G

2V7002KT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTM12N100

IXTM12N100

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
ZDX050N50

ZDX050N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
2V7002LT1G

2V7002LT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF9Z20PBF

IRF9Z20PBF

Opis: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDMS0300S

FDMS0300S

Opis: MOSFET N-CH 30V 31A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD4854N-35G

NTD4854N-35G

Opis: MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.