Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXFH80N65X2-4
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5614414

IXFH80N65X2-4

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$11.693
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXFH80N65X2-4
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    IXFH80N65X2-4.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 4mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-4L
  • Seria
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    38 mOhm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    890W (Tc)
  • Package / Case
    TO-247-4
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8300pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXFH80N65X2-4”.
IXFH9N80

IXFH9N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N085

IXFH80N085

Opis: MOSFET N-CH 85V 80A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH94N30P3

IXFH94N30P3

Opis: MOSFET N-CH 300V 94A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH94N30T

IXFH94N30T

Opis: MOSFET N-CH 300V 94A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N08

IXFH80N08

Opis: MOSFET N-CH 80V 80A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH88N20Q

IXFH88N20Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 88A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH90N20X3

IXFH90N20X3

Opis: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N65X2

IXFH80N65X2

Opis: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N10Q

IXFH80N10Q

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH86N30T

IXFH86N30T

Opis: MOSFET N-CH 300V 86A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N25X3

IXFH80N25X3

Opis: MOSFET N-CH 250V 80A TO247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH88N30P

IXFH88N30P

Opis: MOSFET N-CH 300V 88A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N06

IXFH80N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N10

IXFH80N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N15Q

IXFH80N15Q

Opis: MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N20Q

IXFH80N20Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH96N20P

IXFH96N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 96A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH96N15P

IXFH96N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 96A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH80N30P3

IXFH80N30P3

Opis: MOSFET N-CH 300V 80A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH8N80

IXFH8N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.