Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2V7002KT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1079839Obraz 2V7002KT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2V7002KT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.29
10+
$0.265
100+
$0.148
500+
$0.08
1000+
$0.054
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2V7002KT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    2V7002KT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    300mW (Tj)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    2V7002KT1GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    46 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    24.5pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 320mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    320mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2V7002KT1G”.
FDN5630

FDN5630

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2V7002WT1G

2V7002WT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2V7002LT3G

2V7002LT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V .115A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS870Q-7-F

BS870Q-7-F

Opis: MOSFET 41V 60V SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APTML100U60R020T1AG

APTML100U60R020T1AG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
FDMS2572

FDMS2572

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLR3802PBF

IRLR3802PBF

Opis: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI4866BDY-T1-E3

SI4866BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STP10N60M2

STP10N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRLU024ZPBF

IRLU024ZPBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TSM4N90CI C0G

TSM4N90CI C0G

Opis: MOSFET N-CHANNEL 900V 4A ITO220

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
NVD6495NLT4G-VF01

NVD6495NLT4G-VF01

Opis: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRL3713STRLPBF

IRL3713STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
2V7002LT1G

2V7002LT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFT20N60Q

IXFT20N60Q

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFK88N20Q

IXFK88N20Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 88A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NTHL110N65S3F

NTHL110N65S3F

Opis: SUPERFET3 650V TO247 PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPC100N04S5L2R6ATMA1

IPC100N04S5L2R6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFS4321TRL7PP

IRFS4321TRL7PP

Opis: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.