Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI3460BDV-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5256462Obraz SI3460BDV-T1-GE3.Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.334
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI3460BDV-T1-GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI3460BDV-T1-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    860pF @ 10V
  • Napięcie - Podział
    6-TSOP
  • VGS (th) (Max) @ Id
    27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    TrenchFET®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8A (Tc)
  • Polaryzacja
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Numer części producenta
    SI3460BDV-T1-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    24nC @ 8V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20V
  • Stosunek pojemności
    2W (Ta), 3.5W (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI3460BDV-T1-GE3”.
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460-E02-GM

SI3460-E02-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Opis: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-E03-GM

SI3460-E03-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-EVB

SI3460-EVB

Opis: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3462-E01-GM

SI3462-E01-GM

Opis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3461-E01-GM

SI3461-E01-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3461-E02-GM

SI3461-E02-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3461-KIT

SI3461-KIT

Opis: BOARD EVAL FOR SI3461

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3462-E01-GMR

SI3462-E01-GMR

Opis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-E02-GMR

SI3460-E02-GMR

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3461-E01-GMR

SI3461-E01-GMR

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-E03-GMR

SI3460-E03-GMR

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3462-EVB

SI3462-EVB

Opis: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3459DV-T1-E3

SI3459DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.