Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI3459BDV-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2285034Obraz SI3459BDV-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3459BDV-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.287
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI3459BDV-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI3459BDV-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    216 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta), 3.3W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    SI3459BDV-T1-GE3TR
    SI3459BDVT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    350pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI3459BDV-T1-GE3”.
SI3457DV

SI3457DV

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI3459-B02-IMR

SI3459-B02-IMR

Opis: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3459-B02-IM

SI3459-B02-IM

Opis: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3459-KIT

SI3459-KIT

Opis: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3459DV-T1-E3

SI3459DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3458BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460-E02-GMR

SI3460-E02-GMR

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-EVB

SI3460-EVB

Opis: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-E03-GMR

SI3460-E03-GMR

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Opis: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3458DV-T1-E3

SI3458DV-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3460-E03-GM

SI3460-E03-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI3460-E02-GM

SI3460-E02-GM

Opis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.