Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UH3D-M3/57T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3055407Obraz UH3D-M3/57T.Vishay Semiconductor Diodes Division

UH3D-M3/57T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5100+
$0.244
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UH3D-M3/57T
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    UH3D-M3/57T.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2.5A
  • Napięcie - Podział
    DO-214AB, (SMC)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    16pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    40ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    UH3D-M3/57T
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 200V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Diode Configuration
    10µA @ 200V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.05V @ 6A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    200V
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UH3D-M3/57T”.
CLH02(TE16R,Q)

CLH02(TE16R,Q)

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-VSKE320-20PBF

VS-VSKE320-20PBF

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 320A MAGNAPAK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3D-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SB160

SB160

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.