Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UH3B-M3/57T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5123026Obraz UH3B-M3/57T.Vishay Semiconductor Diodes Division

UH3B-M3/57T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5100+
$0.202
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UH3B-M3/57T
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    UH3B-M3/57T.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2.5A
  • Napięcie - Podział
    DO-214AB, (SMC)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    40ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    35 Weeks
  • Numer części producenta
    UH3B-M3/57T
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Diode Configuration
    5µA @ 100V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100V
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 175°C

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UH3B-M3/57T”.
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-VSKE56/14

VS-VSKE56/14

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 60A ADDAPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3D-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SS36L RQG

SS36L RQG

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH1PC-M3/84A

UH1PC-M3/84A

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.