Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1AFM-M3/6B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
839867Obraz S1AFM-M3/6B.Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFM-M3/6B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
14000+
$0.081
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1AFM-M3/6B
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    S1AFM-M3/6B.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    DO-221AC (SlimSMA)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    7.9pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-221AC, SMA Flat Leads
  • Temperatura pracy - złącze
    1.47µs
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Numer części producenta
    S1AFM-M3/6B
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount DO-221AC (SlimSMA)
  • Diode Configuration
    5µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1000V (1kV)
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 150°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „S1AFM-M3/6B”.
S1AL M2G

S1AL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1AFK-M3/6B

S1AFK-M3/6B

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AHR3G

S1AHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1AFG-M3/6A

S1AFG-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AHE3_A/I

S1AHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AL MHG

S1AL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1AL MQG

S1AL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1AFJ-M3/6B

S1AFJ-M3/6B

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AHM2G

S1AHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1AFL

S1AFL

Opis: DIODE GP 50V 1A SOD123F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
S1AHE3/5AT

S1AHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1ABTR

S1ABTR

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
S1AB-13-F

S1AB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
S1AL

S1AL

Opis: SWITCH TOGGLE SPST 15A 125V

Producenci: NKK Switches
Na stanie
RFQ
S1AHE3_A/H

S1AHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AFG-M3/6B

S1AFG-M3/6B

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AHE3/61T

S1AHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AFM-M3/6A

S1AFM-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AFJ-M3/6A

S1AFJ-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AFK-M3/6A

S1AFK-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.