Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1AFG-M3/6B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1420923Obraz S1AFG-M3/6B.Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
14000+
$0.081
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1AFG-M3/6B
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    S1AFG-M3/6B.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    DO-221AC (SlimSMA)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    7.9pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-221AC, SMA Flat Leads
  • Temperatura pracy - złącze
    1.47µs
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Numer części producenta
    S1AFG-M3/6B
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-221AC (SlimSMA)
  • Diode Configuration
    5µA @ 400V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    400V
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 150°C

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „S1AFG-M3/6B”.
S1AB-13

S1AB-13

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
S1ABTR

S1ABTR

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
S1AFG-M3/6A

S1AFG-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1A-M3/5AT

S1A-M3/5AT

Opis: DIODE GPP 1A 50V DO-214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AB-13-F

S1AB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
S1AFM-M3/6A

S1AFM-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AFJ-M3/6A

S1AFJ-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1A/U

S1A/U

Opis: SWITCH TOGGLE SPST 15A 125V

Producenci: NKK Switches
Na stanie
RFQ
S1AFJ-M3/6B

S1AFJ-M3/6B

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AB R5G

S1AB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S1AFL

S1AFL

Opis: DIODE GP 50V 1A SOD123F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
S1AHE3/61T

S1AHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AHE3/5AT

S1AHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1A-M3/61T

S1A-M3/61T

Opis: DIODE GPP 1A 50V DO-214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AFK-M3/6A

S1AFK-M3/6A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1A/UC

S1A/UC

Opis: SWITCH TOGGLE SPST 15A 125V

Producenci: NKK Switches
Na stanie
RFQ
S1AHE3_A/H

S1AHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
S1AFK-M3/6B

S1AFK-M3/6B

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AFM-M3/6B

S1AFM-M3/6B

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
S1AB M4G

S1AB M4G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.