Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > GL41T-E3/96
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1667786Obraz GL41T-E3/96.Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41T-E3/96

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.098
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GL41T-E3/96
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.GL41T-E3/96.pdf
    2.GL41T-E3/96.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    DO-213AB
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Numer części producenta
    GL41T-E3/96
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 1300V (1.3kV) 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diode Configuration
    10µA @ 1300V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.2V @ 1A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1300V (1.3kV)
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GL41T-E3/96”.
GL453E00000F

GL453E00000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL41K-E3/96

GL41K-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
GL41KHE3/97

GL41KHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL480

GL480

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41K-E3/97

GL41K-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41M-E3/96

GL41M-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41M/54

GL41M/54

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41KHE3/96

GL41KHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.