Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Optoelektronika > Promieniowanie podczerwone, promieniowanie UV, wid > GL453E00000F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6362915

GL453E00000F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GL453E00000F
  • Producent / marka
    Sharp Microelectronics
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GL453E00000F.pdf
  • Długość fali
    950nm
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    1.2V
  • Kąt widzenia
    46°
  • Rodzaj
    Infrared (IR)
  • Seria
    -
  • Radiant Intensity (Ie) Min @ Jeśli
    -
  • Opakowania
    -
  • Package / Case
    Radial
  • Orientacja
    Side View, Dual
  • temperatura robocza
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 46° Radial
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    50mA

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GL453E00000F”.
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41M/54

GL41M/54

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL4910JE000F

GL4910JE000F

Opis: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL4800E0000F

GL4800E0000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL4800

GL4800

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL480QE0000F

GL480QE0000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL480E00000F

GL480E00000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL480

GL480

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.