Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK8R2A06PL,S4X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
418921Obraz TK8R2A06PL,S4X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK8R2A06PL,S4X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.82
50+
$1.459
100+
$1.276
500+
$0.99
1000+
$0.781
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK8R2A06PL,S4X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK8R2A06PL,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 300µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    U-MOSIX-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    36W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK8R2A06PL,S4X(S
    TK8R2A06PLS4X
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1990pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    28.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK8R2A06PL,S4X”.
TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 8A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A60W5,S5VX

TK8A60W5,S5VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK80S06K3L(T6L1,NQ

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8P60W5,RVQ

TK8P60W5,RVQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8P60W,RVQ

TK8P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 8A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AON7444

AON7444

Opis: MOSFET N-CH 60V 33A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

Opis: MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK80S04K3L(T6L1,NQ

TK80S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A50D(STA4,Q,M)

TK8A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A50DA(STA4,Q,M)

TK8A50DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A45D(STA4,Q,M)

TK8A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A60DA(STA4,Q,M)

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A55DA(STA4,Q,M)

TK8A55DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A60W,S4VX

TK8A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A65W,S5X

TK8A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A45DA(STA4,Q,M)

TK8A45DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IRFR9120TR

IRFR9120TR

Opis: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.