Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK8A60DA(STA4,Q,M)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3798586Obraz TK8A60DA(STA4,Q,M).Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$1.676
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK8A60DA(STA4,Q,M)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK8A60DA(STA4,Q,M).pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    π-MOSVII
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1 Ohm @ 4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    45W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK8A60DA(STA4QM)
    TK8A60DASTA4QM
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 7.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK8A60DA(STA4,Q,M)”.
TK8A45D(STA4,Q,M)

TK8A45D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A60W5,S5VX

TK8A60W5,S5VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A65W,S5X

TK8A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 8A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

Opis: MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A45DA(STA4,Q,M)

TK8A45DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A60W,S4VX

TK8A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A55DA(STA4,Q,M)

TK8A55DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK80S04K3L(T6L1,NQ

TK80S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
EPC2039ENGRT

EPC2039ENGRT

Opis: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AOH3254

AOH3254

Opis: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
TK8A50D(STA4,Q,M)

TK8A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8P60W,RVQ

TK8P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 8A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8P60W5,RVQ

TK8P60W5,RVQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK80S06K3L(T6L1,NQ

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK8A50DA(STA4,Q,M)

TK8A50DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.