Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK31V60W,LVQ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5951463Obraz TK31V60W,LVQ.Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60W,LVQ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK31V60W,LVQ
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK31V60W,LVQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 1.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-DFN-EP (8x8)
  • Seria
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    98 mOhm @ 15.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    240W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    4-VSFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    TK31V60WLVQCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3000pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30.8A (Ta)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK31V60W,LVQ”.
TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35A65W,S5X

TK35A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

Opis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35A08N1,S4X

TK35A08N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Opis: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Opis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3434

TK3434

Opis: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.