Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK31N60W,S1VF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5014224Obraz TK31N60W,S1VF.Toshiba Semiconductor and Storage

TK31N60W,S1VF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$9.72
30+
$7.968
120+
$7.191
510+
$6.025
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK31N60W,S1VF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK31N60W,S1VF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 1.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    88 mOhm @ 15.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    230W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    TK31N60W,S1VF(S
    TK31N60WS1VF
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3000pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30.8A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK31N60W,S1VF”.
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3

TK3

Opis: TERMINAL KIT P184 10EA T49

Producenci: Vector Electronics & Technology, Inc.
Na stanie
RFQ
TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Opis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3434

TK3434

Opis: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Opis: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.